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   AMD 公司已开始将“应变硅”（strained silicon）技术整合到其芯片产品中，这种设计手法预计将增强计算机处理器的性能。>
    AMD 公司发言人于当地时间上周四表示，AMD 刚刚向个人电脑制造商交付的90纳米工艺芯片都采用了应变硅技术，而本季度即将发布的130 纳米工艺的处理器也将应用该技术。（纳米尺度是芯片的平均形态尺寸，1 纳米是10亿分之一米。）>
    应变硅技术是一种对晶体管沟道部分的硅施加应力使其变形，以此提高载流子迁移率的技术。借由加大硅原子间彼此的距离，电子便能够更加迅速地运行。而电子的运行速度越快，处理器的性能就越好。>
    AMD 在芯片中使用该技术的消息最先由《半导体报告》（Semiconductor Reporter）报道。>
    AMD 公司没有透露有关应变硅技术更多的细节，AMD 发言人表示，公司的这项技术不同于IBM 和英特尔的相关设计方法。IBM 和英特尔两者都是在其芯片中的硅层之间嵌入更大的锗原子，以拉开硅层上原子间的距离。>
    其实IBM 和英特尔的芯片设计方法彼此也有所不同。英特尔表示，依据晶体管的不同，其采用的应变硅技术能够使目前的驱动速度提高10%-25%。>
    AMD 公司自动化精密制造技术部主管托马斯·桑德曼（Thomas Sonderman）对《半导体报告》表示，AMD 的设计技术更多的在局部。但AMD 发言人不愿对桑德曼的说法发表评论。不过AMD 其他高层和研究人员曾经表示，局部性的张力，只会影响到芯片的某些部份。至于AMD 的这项技术是否能够达到同等级的性能改进，目前尚不得而知。>
    AMD 公司研究人员早些时候曾与AmberWave 合作，将应变硅技术嵌入芯片，但双方的这项合作最终破裂。>
    AMD 发言人表示，改变设计手法可以使硅发生变形，公司有意在芯片中增加新层来拉大硅原子之间的距离。>
    AMD 、英特尔和IBM 目前都致力于芯片设计技术的另一次主要变革：把晶体管内电流出入口的原材料由硅替换为金属。采用金属晶体管的处理器预计将使用45纳米制造工艺，估计2007年或早些时候面市。>

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