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    据日经BP社消息，富士电机日前宣布，成功开发出了面向垂直磁记录方式硬盘的记录介质，“实现了150Gbit/平方英寸的面记录密度”。这一数字相当于3.5英寸硬盘单片盘片的记录容量达200GB左右。硬盘诞生以来，普遍认为此前使用的纵向记录方式的极限为150Gbit/平方英寸，作为下一代记录方式，垂直记录方式正在受到越来越多的关注。但垂直记录方式的测试过去只能达到100Gbit/平方英寸左右。富士电机今后准备通过不断减小晶粒直径来实现200Gbit/平方英寸的面记录密度。

　　该公司此次开发的是一种在钴（Co）铂（Pt）合金中添加了二氧化硅、被称为“硅氧化物颗粒”的记录介质。通过添加二氧化硅，使晶粒分离，与该公司原来的技术相比，面记录密度提到了3倍左右（图1、图2）。分离晶粒是为了减少互连的晶粒间的相互影响。过去，通过在钴铂合金中添加铬（Cr），用铬来包围钴铂合金的晶粒，来分离互连的晶粒。但这种方法很难超过150Gbit/平方英寸。另外，目前尚不清楚此次发表的内容是否正在进行测试。

　　富士电机准备在美国波士顿2003年3月20日开幕的磁技术相关国际学会“The 2003 IEEE International Magnetics Conference(Intermag2003)”上发表有关详细内容。演讲名为“Magnetic Properties, Magnetic Cluster Size and Read-Write Performance of CoCrPt-SiO 2 Perpendicular Recording Media”（编号为AE-03)。

图1：新介质的TEM图像


图2：原介质的TEM图像

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