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计算机世界网消息 美国英特尔公司的技术战略部主任近日接受记者采访时称，传统半导体技术的极限为栅极长度2纳米。指出这点的该技术战略部主任P.甘吉尼（译音）博士，还兼任国际半导体技术发展进程委员会的委员长，是国际上知名的半导体技术专家。而国际半导体技术发展进程委员会则是预测半导体技术研究和开发状况的权威组织。



　　P.甘吉尼博士对记者介绍说：“1990年代一些人预测，半导体的加工线宽如果小于

100纳米（即0.1微米），则需要有全新的器件制造技术。这实际是一种误解。英特尔公司在2003年内会实现全部的器件生产都转移至100纳米线宽的工艺。”甘吉尼博士认为，无论从技术上来观察，还是从经济上考核，利用传统的半导体器件技术在今后10年都不会达到其微细化的极限。



　　不少人记得，在2000年前后一些专家曾提出，到2013年传统的半导体器件技术将走到其尽头。而近几年来半导体技术的进展证明，这一时限将进一步推后。



　　甘吉尼博士指出，影响半导体器件进一步缩小体积的问题是：科研人员已发现，即使不施加电压，也会发生电流流动的现象。甘吉尼博士认为，传统半导体技术的极限标志是栅极长度为2纳米，低于此限度则必须要有全新的半导体技术。上述的栅极长度是衡量半导体器件大小的重要指标。甘吉尼博士说，当前的硅材料半导体技术还可在未来的一段时间内继续为人们服务。



　　作者：吴康迪

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