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　　Samsung又推出了三款内存新品--型号M312L2828ET0-CB0的1GB PC2100 ECC DDR、型号M368L2923BTN-CB3的1GB PC2700 DDR以及型号M378T6553BG0-CD5的512MB PC2-4300 DDRII。

图为：Samsung推出的内存新品

　　单条1GB PC2100 ECC DDR

　　这款型号M312L2828ET0-CB0的1GB PC2100 ECC DDR恐怕是现在零售市场上能够见到的最大容量的DDR内存了。这款条子主要面对的是入门级别服务器市场。因为目前的普通PC主板中，还只有Intel i875芯片能够支持ECC DDR；而主流服务器采用的内存则是Register ECC。

图为：单条1GB PC2100 ECC DDR内存

　　它采用Samsung自己生产的内存芯片，型号K4H510638E-TCB0，该芯片容量高达64M，4 Bank架构设计，SSTL2接口界面，66针TSOP2封装形式，默认工作电压2.5V，默认工作频率当CL＝2时为DDR200、当CL＝2.5以上时为DDR266。

采用Samsung自己生产的内存芯片

　　芯片的物理结构与我们平时使用的DDR内存芯片有所不同，由两层芯片组成。

　　单条1GB PC2700 DDR

　　M368L2923BTN-CB3相当于对应M312L2828ET0-CB0的非ECC版本，但运行频率更高，默认当CL＝2时运行频率为DDR266，当CL＝2.5时运行频率为DDR333。

图为：单条1GB PC2700 DDR内存

　　内存芯片型号为K4H510838B-TCB3，单颗容量64MB，同样是4 Bank架构设计，SSTL2接口界面，66针TSOP2封装形式，默认工作电压2.5V，默认工作频率当CL＝2时为DDR266、当CL＝2.5以上时为DDR333。

内存芯片型号为K4H510838B-TCB3

　　DDRII！-M378T6553BG0-CD5

　　真是没有想到，支持DDRII的处理器平台还没有发布，Samsung这么快就推出了DDRII内存零售产品。

图为：M378T6553BG0-CD5内存

　　该内存采用的芯片为Samsung自己的K4T51083QB-GCD5，单颗颗粒容量同样是64M，GDC5表示该芯片标准运行频率是DDR 533MHz(266MHz×2)，但CL时间却高达4个时钟周期。

该内存采用的芯片为Samsung自己的K4T51083QB-GCD5

　　由下面的详细规格列表中我们可以看到，DDRII的工作电压由DDR的2.5V下降到了1.8V，写入延时比读取延时少一个时钟周期，而且内存芯片内建了终结电阻(也就是说主板制造商又可以节省一些成本)，封装采用的是60脚的FBGA方式。同时，内存PCB也发生了一些改变，由DDR的184Pin升级为DDRII的232Pin。

　　DDRII与DDR相比最大的不同应该就是内存Pin数的变化了，这一变化使得DDRII与DDR将无法互相兼容，但发展DDR II的主要目的是为了提高性能，初期产品的时钟频率与DDR相比也有了一定的提高，等到支持DDRII的处理器平台上市之后，DDRII的发展速度将会加快，DDRII的运行频率也会进一步提高。

　　DDR II内存总线为64位，现在的初期产品运行频率在DDR400～DDR533之间，能达到3.2-4.3GB/秒的带宽，紧接着会推出DDR667的产品。

　　DDRII与DDR从性能角度来说，最大的改进就是将DDR采用的双倍数据包预读取，改良为四倍预读取，这也就是说，DDRII的内存总线频率是内存芯片实际工作频率的4倍，这为进一步提高内存实际工作频率留下了很大的空间，由此可以预料，DDRII将会有更加优秀的超频能力。

　　另一方面，DDRII采用了Posted CAS技术--即“写入延迟＝读入延迟-1”。内存访问时间延迟，DDR最小能达到13毫秒，这对于DDR II而言足足损失了四个时钟周期，也就是说内存将会有4个时钟周期“放假”。Posted

　　CAS模式允许CAS和RAS指令在一定程度上重叠执行，几乎没有任何停顿，能够在延迟增加的情况下做一些性能补偿。

　　近期的内存市场小幅波动不断，但总体来说逐渐趋于平稳，这次Samsung一下子推出三款高容量新产品，当然，其中只有两款DDR内存对于市场有实际效应，如果能够保证供货量的话，相信对于内存市场的进一步稳定能够起到积极有利的作用。

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